Intel สร้างความฮือฮาในงาน Intel Connection Japan 2026 ด้วยการโชว์ต้นแบบเทคโนโลยีหน่วยความจำใหม่ที่ชื่อว่า Z-Angle Memory (ZAM) เป็นครั้งแรกอย่างเป็นทางการ โดยชูจุดเด่นด้านการจัดการความร้อนและประสิทธิภาพการประมวลผล พร้อมส่งสัญญาณชัดว่าต้องการท้าทายตลาด HBM (High Bandwidth Memory) ที่กำลังเติบโตแรงในยุค AI
แม้ Intel จะห่างหายจากธุรกิจ DRAM มาหลายสิบปี แต่การจับมือกับบริษัทในเครือ SoftBank อย่าง Saimemory ทำให้ภาพการกลับเข้าสู่ตลาดหน่วยความจำดูจริงจังมากขึ้น
ZAM Memory คืออะไร และต่างจาก HBM อย่างไร
หัวใจของ ZAM อยู่ที่สถาปัตยกรรม Z-Angle ซึ่งเปลี่ยนแนวคิดการเชื่อมต่อชิปหน่วยความจำแบบดั้งเดิม
จาก “เจาะตรงลง” สู่ “เชื่อมต่อแนวทแยง”
ในหน่วยความจำแบบ HBM ปกติ จะใช้การเชื่อมต่อแนวตั้ง (vertical interconnect) เจาะตรงลงไปใน die stack
แต่ ZAM ใช้โครงสร้าง staggered interconnect topology หรือการเชื่อมต่อแบบจัดเรียงเหลื่อมและวิ่งแนวทแยงภายในชั้นชิป
แนวทางนี้ช่วยลดจุดสะสมความร้อน และกระจายโหลดไฟฟ้าได้ดีขึ้น
จุดขายหลัก: แก้ปัญหาความร้อนและข้อจำกัดด้านประสิทธิภาพ
หนึ่งในปัญหาของ HBM คือความหนาแน่นสูงมาก ทำให้เกิดข้อจำกัดด้านความร้อน (thermal constraints)
Intel ระบุว่า ZAM ถูกออกแบบมาเพื่อ:
ลดการสะสมความร้อนใน die stack
เพิ่มเสถียรภาพการทำงานภายใต้โหลดสูง
รองรับเวิร์กโหลด AI และ HPC ที่หนักขึ้นเรื่อย ๆ
พูดง่าย ๆ คือ ZAM พยายามแก้ปัญหาคอขวดด้านพลังงานและความร้อนที่เกิดจากการเพิ่ม bandwidth แบบเดิม
ตัวเลขที่ Intel เคลม
แม้จะยังเป็นต้นแบบ แต่ข้อมูลเบื้องต้นที่ถูกพูดถึงมีดังนี้:
ใช้พลังงานต่ำลง 40–50%
กระบวนการผลิตง่ายขึ้นจากโครงสร้าง Z-Angle
ความจุต่อชิปสูงสุดอาจแตะ 512GB
ถ้าตัวเลขเหล่านี้ทำได้จริง จะถือว่าเป็นก้าวกระโดดสำคัญในตลาดหน่วยความจำระดับสูง
ใครอยู่เบื้องหลังโครงการนี้
งานเปิดตัวมีผู้บริหารระดับสูงของ Intel เข้าร่วม เช่น:
Joshua Fryman (Fellow และ CTO ของ Intel Government Technologies)
Makoto Onho (CEO ของ Intel Japan)
บทบาทของ Intel ในโครงการ ZAM ยังไม่ได้ระบุชัดเจนทุกมิติ แต่จากสไลด์ในงาน บริษัทจะรับผิดชอบด้าน:
การลงทุนเริ่มต้น
การตัดสินใจเชิงกลยุทธ์
สะท้อนว่า Intel ไม่ได้เป็นแค่ผู้สนับสนุนทางเทคนิค แต่มีบทบาทเชิงธุรกิจด้วย
ทำไม ZAM ถึงสำคัญในยุค AI
ตลาด HBM เติบโตอย่างรวดเร็วเพราะ GPU และชิป AI ต้องการแบนด์วิดท์หน่วยความจำสูงมาก
แต่การเพิ่มความเร็วและความหนาแน่นแบบเดิมเริ่มเจอข้อจำกัด:
ความร้อน
ต้นทุน
ความซับซ้อนในการผลิต
ถ้า ZAM แก้ปัญหาเหล่านี้ได้ จะกลายเป็นตัวเลือกใหม่สำหรับศูนย์ข้อมูล (Data Center), AI Accelerator และซูเปอร์คอมพิวเตอร์
Intel กำลังขยายไปตลาดใหม่หรือไม่
Intel เคยถอนตัวจาก DRAM มานาน แต่การกลับมาในรูปแบบเทคโนโลยีใหม่ แทนที่จะทำ DRAM แบบเดิม อาจเป็นกลยุทธ์ที่แตกต่าง
แทนที่จะสู้ในตลาด commodity memory
Intel อาจเลือกสู้ในตลาดเฉพาะทางอย่าง:
HBM
หน่วยความจำสำหรับ AI
ระบบประสิทธิภาพสูง (HPC)
ซึ่งมีมูลค่าสูงและเติบโตเร็ว
สรุป: ZAM จะล้ม HBM ได้ไหม
ตอนนี้ ZAM ยังเป็นเพียงต้นแบบ แต่การที่ Intel ออกมาโชว์โปรโตไทป์อย่างรวดเร็ว แสดงให้เห็นว่าบริษัทต้องการผลักดันเทคโนโลยีนี้จริงจัง
ถ้าสามารถทำได้ตามที่เคลม:
ประหยัดพลังงานกว่า
เย็นกว่า
ผลิตง่ายกว่า
ความจุสูงกว่า
ZAM อาจกลายเป็นคู่แข่งสำคัญของ HBM ในตลาดหน่วยความจำยุค AI
อย่างไรก็ตาม เส้นทางจากต้นแบบสู่การผลิตจริงยังต้องใช้เวลา และต้องดูว่าพันธมิตรในอุตสาหกรรมจะตอบรับมากแค่ไหน
แต่ที่แน่ ๆ คือ Intel กำลังส่งสัญญาณว่าไม่ต้องการยืนดูตลาดหน่วยความจำจากข้างสนามอีกต่อไป
ที่มา wccftech